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正耀電子有限公司

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公司介紹
 BASiC基本半導(dǎo)體碳化硅SiC功率MOSFE,BASiC基本半導(dǎo)體碳化硅MOSFET模塊,BASiC基本半導(dǎo)體單管IGBT,BASiC基本半導(dǎo)體IGBT模塊,BASiC基本半導(dǎo)體三電平IGBT模塊,BASiC基本半導(dǎo)體I型三電平IGBT模塊,BASiC基本半導(dǎo)體T型三電平IGBT模塊,BASiC基本半導(dǎo)體混合SiC-IGBT單管,BASiC基本半導(dǎo)體混合SiC-IGBT模塊,單通道隔離驅(qū)動(dòng)芯片BTD5350,雙通道隔離驅(qū)動(dòng)芯片BTD21520,單通道隔離驅(qū)動(dòng)芯片(帶VCE保護(hù))BTD3011,BASiC基本半導(dǎo)體混合SiC-IGBT三電平模塊應(yīng)用于光伏逆變器,雙向AC-DC電源,戶用光伏逆變器,戶用光儲(chǔ)一體機(jī),儲(chǔ)能變流器,儲(chǔ)能PCS,雙向LLC電源模塊,儲(chǔ)能PCS-Buck-Boost電路,光儲(chǔ)一體機(jī),PCS雙向變流器,三相維也納PFC電路,三電平LLC直流變換器,移相全橋拓?fù)涞刃履茉搭I(lǐng)域。
 
基本半導(dǎo)體全碳化硅MOSFET模塊,Easy封裝全碳化硅MOSFET模塊,62mm封裝全碳化硅MOSFET模塊,F(xiàn)ull SiC Module,SiC MOSFET模塊適用于超級(jí)充電樁,V2G充電樁,高壓柔性直流輸電智能電網(wǎng)(HVDC),空調(diào)熱泵驅(qū)動(dòng),機(jī)車輔助電源,儲(chǔ)能變流器PCS,光伏逆變器,超高頻逆變焊機(jī),超高頻伺服驅(qū)動(dòng)器,高速電機(jī)變頻器等. 光伏逆變器專用直流升壓模塊BOOST Module-光伏MPPT,PV Inverter交流雙拼 ANPC 拓?fù)淠孀兡K。儲(chǔ)能PCS變流器ANPC三電平碳化硅MOSFET模塊,光儲(chǔ)碳化硅MOSFET。
 
基本半導(dǎo)體第二代碳化硅SiC MOSFET主要有B2M065120H,B2M065120Z,B2M065120R,B2M040120H,B2M040120Z,B2M040120R,B2M035120YP,B2M020120H,B2M020120Z,B2M020120R,B2M1000170H,B2M1000170Z,B2M1000170R,B2M0242000Z。適用大功率電力電子裝置的SiC MOSFET模塊,半橋SiC MOSFET模塊,ANPC三電平碳化硅MOSFET模塊,T型三電平模塊,MPPT BOOST SiC MOSFET模塊。
B2M030120Z國產(chǎn)替代英飛凌IMZA120R030M1H,安森美NTH4L030N120M3S以及C3M0032120K。
B2M0242000Z國產(chǎn)替代英飛凌IMYH200R024M1H。
B2M035120YP,B2M040120Z國產(chǎn)替代英飛凌IMZA120R040M1H,安森美NTH4L040N120M3S,NTH4L040N120SC1以及C3M0040120K。
B2M020120Z國產(chǎn)替代英飛凌IMZA120R020M1H,安森美NTH4L020N120SC1,NTH4L022N120M3S以及C3M0021120K。
B2M1000170R國產(chǎn)代替英飛凌IMBF170R1K0M1,安森美NTBG1000N170M1以及C2M1000170J。
B2M065120H國產(chǎn)代替安森美NTHL070N120M3S。
B2M065120Z國產(chǎn)代替英飛凌IMZ120R060M1H,安森美NVH4L070N120M3S以及C3M0075120K-A
 
NPC(Neutral Point Clamped)三電平拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)是一種應(yīng)用為廣泛的多電平拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。近年來隨著電力電子技術(shù)在電力行業(yè)的發(fā)展,NPC三電平技術(shù)開始越來越多的應(yīng)用到各個(gè)領(lǐng)域,包括光伏逆變器、風(fēng)電變流器、高壓變頻器、UPS、APF/SVG、高頻電源等都有著廣泛的應(yīng)用。NPC拓?fù)涑S玫挠袃煞N結(jié)構(gòu),就是我們常說的“I”字型(也稱NPC1)和“T”字型(也稱NPC2、MNPC、TNPC、NPP等)。另外ANPC也是一種NPC1的改進(jìn)型,這些年隨著器件的發(fā)展,ANPC也開始有一些適合的應(yīng)用。
 
在分時(shí)電價(jià)完善、峰谷電價(jià)差拉大、限電事件頻發(fā)等多重因素驅(qū)動(dòng)下,工商業(yè)儲(chǔ)能的經(jīng)濟(jì)性明顯提升。工商業(yè)儲(chǔ)能是用戶側(cè)儲(chǔ)能系統(tǒng)的主要類型之一,可以大化提升光伏自發(fā)自用率,降低工商業(yè)業(yè)主的電費(fèi)開支,助力企業(yè)節(jié)能減排。
工商業(yè)儲(chǔ)能裝機(jī)有望在政策鼓勵(lì)、限電刺激、電價(jià)改革等利好因素刺激下進(jìn)入高速增長期,復(fù)合增速有望持續(xù)飆升。 
 
基本半導(dǎo)體混合IGBT單管在工商業(yè)儲(chǔ)能PCS變流器中的應(yīng)用指南:
 
工商業(yè)儲(chǔ)能PCS變流器:
1、主要功率點(diǎn)位:35kW、50kW、70kW(35kW兩模塊并)、100kW(50kW模塊兩并)、125kW(62.5kW模塊兩并),功率點(diǎn)位的選擇主要取決于電池容量,都是標(biāo)準(zhǔn)值;
2、T型三電平是主流方案,出于競(jìng)爭(zhēng)力考量,采用分立器件IGBT;T型三電平的開關(guān)頻率,目前主要在16-20kHz之間
3、35kW單機(jī)方案:TO-247封裝單管IGBT是現(xiàn)階段主力,橫管用650V 50AIGBT兩并聯(lián),豎管用1200V 40A IGBT 3顆并聯(lián)或者1200V 25A IGBT 4顆并聯(lián)。
4、單機(jī)功率要躍遷到50kW和62.5kW,純硅IGBT的并聯(lián)個(gè)數(shù)太多,不符合客戶的利益要求,功率越往上走,客戶有很強(qiáng)的動(dòng)力減少IGBT單管的數(shù)量,混合IGBT具有明顯的應(yīng)用優(yōu)勢(shì),橫管豎管都使用混合IGBT,可以大限度壓低IGBT開通電阻,降低IGBT開關(guān)損耗,大限度發(fā)揮混管的性能??蛻魧GBT的開通關(guān)斷電阻分開,如果橫管跟豎管同時(shí)選擇混管,理論上可以將開通電阻調(diào)到0Ω,大大降級(jí)IGBT的損耗,這么一來,可以縮小混管跟全碳MSOFET在這種方案中的差距,大程度發(fā)揮混管的性能。1200V碳化硅MOSFET的方案現(xiàn)階段評(píng)估成本還太高,無法干過混管?;旃茉诂F(xiàn)有方案中具有較強(qiáng)的發(fā)展?jié)摿蜕Α?/div>
 
橫管混合IGBT選型推薦:BGH50N65HF1,BGH50N65HS1,BGH50N65ZF1,BGH75N65HF1,BGH75N65ZF1
豎管混合IGBT選型推薦:BGH40N120HF1,BGH40N120HS1,BGH75N120HF1,BGH75N120HS1
 
基本半導(dǎo)體混合碳化硅分立器件將新型場(chǎng)截止IGBT技術(shù)和碳化硅肖特基二極管技術(shù)相結(jié)合,為硬開關(guān)拓?fù)浯蛟炝艘粋€(gè)兼顧品質(zhì)和性價(jià)比的方案。該器件將傳統(tǒng)的硅基IGBT和碳化硅肖特基二極管合封,在部分應(yīng)用中可以替代傳統(tǒng)的IGBT(硅基IGBT與硅基快恢復(fù)二極管合封),使IGBT的開關(guān)損耗大幅降低,適用于儲(chǔ)能(ESS)、車載充電器(OBC)、不間斷電源(UPS)、光伏組串逆變器等領(lǐng)域。
 
 
公司檔案
公司名稱: 正耀電子有限公司 公司類型: 企業(yè)單位 ()
所 在 地: 江蘇/蘇州市 公司規(guī)模:
注冊(cè)資本: 未填寫 注冊(cè)年份: 2006
資料認(rèn)證:
保 證 金: 已繳納 0.00
經(jīng)營范圍: 國產(chǎn)碳化硅SiC MOSFET,碳化硅SiC MOSFET國產(chǎn)替代,儲(chǔ)能變流器PCS三電平碳化硅SiC MOSFET模塊,T型三電平碳化硅模塊,ANPC三電平碳化硅模塊,國產(chǎn)碳化硅SiC MOSFET,國產(chǎn)替代,光伏MPPT碳化硅SiC MOSFET,OBC碳化硅SiC MOSFET,充電樁電源碳化硅SiC MOSFET,充電樁電源碳化硅SiC MOSFET模塊,隔離驅(qū)動(dòng)IC,62mm碳化硅SiC MOSFET模塊,半橋碳化硅SiC MOSFET模塊,SOT227碳化硅SiC MOSFET模塊,EasyP
銷售的產(chǎn)品: 國產(chǎn)碳化硅SiC MOSFET,碳化硅SiC MOSFET國產(chǎn)替代,儲(chǔ)能變流器PCS三電平碳化硅SiC MOSFET模塊,T型三電平碳化硅模塊,ANPC三電平碳化硅模塊,國產(chǎn)碳化硅SiC MOSFET,國產(chǎn)替代,光伏MPPT碳化硅SiC MOSFET,OBC碳化硅SiC MOSFET,充電樁電源碳化硅SiC MOSFET,充電樁電源碳化硅SiC MOSFET模塊,隔離驅(qū)動(dòng)IC,62mm碳化硅SiC MOSFET模塊,半橋碳化硅SiC MOSFET模塊,SOT227碳化硅SiC MOSFET模塊,EasyP
采購的產(chǎn)品: 國產(chǎn)碳化硅SiC MOSFET,碳化硅SiC MOSFET國產(chǎn)替代,儲(chǔ)能變流器PCS三電平碳化硅SiC MOSFET模塊,T型三電平碳化硅模塊,ANPC三電平碳化硅模塊,國產(chǎn)碳化硅SiC MOSFET,國產(chǎn)替代,光伏MPPT碳化硅SiC MOSFET,OBC碳化硅SiC MOSFET,充電樁電源碳化硅SiC MOSFET,充電樁電源碳化硅SiC MOSFET模塊,隔離驅(qū)動(dòng)IC,62mm碳化硅SiC MOSFET模塊,半橋碳化硅SiC MOSFET模塊,SOT227碳化硅SiC MOSFET模塊,EasyP
主營行業(yè):
系統(tǒng)集成

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VIP會(huì)員 1
信用指數(shù)
0
企業(yè)類型
企業(yè)單位
經(jīng)營模式
主營產(chǎn)品
國產(chǎn)碳化硅SiC MOSFET,碳化硅SiC MOSFET國產(chǎn)替代,儲(chǔ)能變流器PCS三電平碳化硅SiC MOSFET模塊,T型三電平碳化硅模塊,ANPC三電平碳化硅模塊,國產(chǎn)碳化硅SiC MOSFET,國產(chǎn)替代,光伏MPPT碳化硅SiC MOSFET,OBC碳化硅SiC MOSFET,充電樁電源碳化硅SiC MOSFET,充電樁電源碳化硅SiC MOSFET模塊,隔離驅(qū)動(dòng)IC,62mm碳化硅SiC MOSFET模塊,半橋碳化硅SiC MOSFET模塊,SOT227碳化硅SiC MOSFET模塊,EasyP
產(chǎn)品分類
暫無分類
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