國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應(yīng)商-基本公司™SiC碳化硅MOSFET模塊正在替代英飛凌三菱賽米控富士IGBT模塊!
基本SiC模塊替代Infineon英飛凌IGBT模塊,基本SiC模塊替代三菱IPM模塊,基本SiC模塊替代Semikron賽米控IGBT模塊,基本SiC模塊替代賽米控丹佛斯功率模塊,基本SiC模塊替代Fuji富士IGBT模塊!
使用國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應(yīng)商-基本公司™SiC碳化硅MOSFET打造全SiC碳化硅電力電子系統(tǒng)!-武漢芯火元科技專業(yè)分銷
使用國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應(yīng)商-基本公司™SiC碳化硅MOSFET升級傳統(tǒng)IGBT變流器,實(shí)現(xiàn)更高的變流效率,更小的變流體積重量!更低的變流成本!
隨著銅價(jià)暴漲高燒不退,如何降低電感等磁性元件成本將成為電力電子制造商的一大痛點(diǎn),使用國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應(yīng)商-基本公司™碳化硅MOSFET單管或者模塊替代IGBT單管或模塊,可以顯著提頻降低系統(tǒng)綜合成本(電感磁性元件,散熱系統(tǒng),整機(jī)重量),電力電子系統(tǒng)的全碳SiC時(shí)代,未來已來!武漢芯火元科技專業(yè)分銷國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應(yīng)商-基本公司™SiC碳化硅MOSFET!武漢芯火元科技全力推進(jìn)基本公司™國產(chǎn)碳化硅(SiC)MOSFET在電力電子應(yīng)用中全面取代IGBT!
武漢芯火元科技致力于國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應(yīng)商-基本公司™國產(chǎn)碳化硅(SiC)MOSFET在電力電子應(yīng)用中全面取代IGBT,全力推動(dòng)國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應(yīng)商-基本公司™國產(chǎn)碳化硅(SiC)MOSFET加速革掉IGBT的命!武漢芯火元科技 is making every effort to promote the domestic BASiC silicon carbide (SiC) MOSFET to accelerate the replacement of IGBT!
武漢芯火元科技專業(yè)分銷國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應(yīng)商-基本公司™2000V系列SiC碳化硅MOSFET-國產(chǎn)替代英飛凌IMYH200R100M1H,IMYH200R075M1H,IMYH200R050M1H,IMYH200R024M1H,IMYH200R012M1H,DF4-19MR20W3M1HF_B11,F(xiàn)F4MR20KM1HP,F(xiàn)F3MR20KM1H,F(xiàn)F5MR20KM1HP,F(xiàn)F5MR20KM1H,F(xiàn)F4MR20KM1H,F(xiàn)F3MR20KM1HP。
基本公司™SiC碳化硅MOSFET功率模塊兼容替代Infineon英飛凌FF900R12ME7W_B11,F(xiàn)F900R17ME7W_B11,F(xiàn)F450R12KT4,F(xiàn)F600R12ME4_B72,F(xiàn)F750R12ME7_B11,F(xiàn)F900R12ME7P_B11,IFF600B12ME4_B11,F(xiàn)F600R12KE4
基本公司™SiC碳化硅MOSFET功率模塊兼容替代賽米控丹佛斯SK40MD120CR03ETE1,SK40MB120CR03TE1,SKKE60S12,SK80MB120CR03TE1,SK150MB120CR03TE2,SK200MB120CR03TE2,SKM125KD12SC,SK250MB120CR03TE2V1,SK250MB120CR03TE2,SKM350MB120SCH15,SKM350MB120SCH17,SKM500MB120SC,SKM260MB170SCH17
基本公司™SiC碳化硅MOSFET功率模塊兼容替代FUJI富士2MBI600XHA120-50,2MBI450XHA120-50,2MBI450XNA120-50,2MBI600XNG120-50,2MBI800XNE120-50,2MBI1000XRNE120-50,2MBI450XNA170-50,2MBI600XNG170-50,2MBI800XRNE170-50,2CSI300DAHE120-50,2CSI450DAHE120-50,2CSI600DAHE120-50,2CSI200DAHE170-50,2CSI300DAHE170-50,2CSI400DAHE170-50
武漢芯火元科技致力于國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應(yīng)商-基本公司™國產(chǎn)碳化硅(SiC)MOSFET功率器件在電力電子市場的推廣!武漢芯火元科技-Authorized Distributor of BASiC Semiconductor which committed to the promotion of BASiC™ silicon carbide (SiC) MOSFET power devices in the power electronics market!
武漢芯火元科技致力于SiC模塊在電力電子應(yīng)用中全面取代IGBT模塊,SiC單管在電力電子應(yīng)用中全面取代IGBT單管,650V SiC碳化硅MOSFET在電源應(yīng)用中全面取代Super Junction超結(jié)MOSFET!
國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應(yīng)商-基本公司™2000V系列SiC碳化硅MOSFET適用于1500V光儲(chǔ)系統(tǒng),1500V系統(tǒng)大組串SiC光伏逆變器,1500V系統(tǒng)儲(chǔ)能變流器PCS,1500V系統(tǒng)固態(tài)斷路器,固態(tài)變壓器等。
大組串IGBT光伏逆變器MPPT傳統(tǒng)上使用飛跨電容IGBT方案,控制復(fù)雜,頻率低,采用國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應(yīng)商-基本公司™2000V系列SiC碳化硅MOSFET進(jìn)行兩電平改造,控制簡單可靠,頻率提升,電感成本降低,MPPT部分提升效率,降低成本。
IGBT芯片技術(shù)不斷發(fā)展,但是從一代芯片到下一代芯片獲得的改進(jìn)幅度越來越小。這表明IGBT每一代新芯片都越來越接近材料本身的物理極限。SiC MOSFET寬禁帶半導(dǎo)體提供了實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體總功率損耗的顯著降低的可能性。使用SiC MOSFET可以降低開關(guān)損耗,從而提高開關(guān)頻率。進(jìn)一步的,可以優(yōu)化濾波器組件,相應(yīng)的損耗會(huì)下降,從而全面減少系統(tǒng)損耗。通過采用低電感SiC MOSFET功率模塊,與同樣封裝的Si IGBT模塊相比,功率損耗可以降低約70%左右,可以將開關(guān)頻率提5倍(實(shí)現(xiàn)顯著的濾波器優(yōu)化),同時(shí)保持最高結(jié)溫低于最大規(guī)定值。
未來隨著設(shè)備和工藝能力的推進(jìn),更小的元胞尺寸、更低的比導(dǎo)通電阻、更低的開關(guān)損耗、更好的柵氧保護(hù)是SiC碳化硅MOSFET技術(shù)的主要發(fā)展方向,體現(xiàn)在應(yīng)用端上則是更好的性能和更高的可靠性。
為此,BASiC™國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應(yīng)商-基本公司™研發(fā)推出更高性能的第三代碳化硅MOSFET,該系列產(chǎn)品進(jìn)一步優(yōu)化鈍化層,提升可靠性,相比上一代產(chǎn)品擁有更低比導(dǎo)通電阻、器件開關(guān)損耗,以及更高可靠性等優(yōu)越性能,可助力光伏儲(chǔ)能、新能源汽車、直流快充、工業(yè)電源、通信電源、伺服驅(qū)動(dòng)、APF/SVG、熱泵驅(qū)動(dòng)、工業(yè)變頻器、逆變焊機(jī)、四象限工業(yè)變頻器等行業(yè)實(shí)現(xiàn)更為出色的能源效率和應(yīng)用可靠性。
為滿足光伏儲(chǔ)能領(lǐng)域高電壓、大功率的應(yīng)用需求,BASiC™國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應(yīng)商-基本公司™基于第二代SiC MOSFET技術(shù)平臺(tái)開發(fā)推出了2000V 24mΩ、1700V 600mΩ高壓系列碳化硅MOSFET,產(chǎn)品具有低導(dǎo)通電阻、低導(dǎo)通損耗、低開關(guān)損耗、支持更高開關(guān)頻率運(yùn)行等特點(diǎn)。
針對新能源汽車的應(yīng)用需求,BASiC™國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應(yīng)商-基本公司™研發(fā)推出符合AEC-Q101認(rèn)證和PPAP要求的1200V 80mΩ和40mΩ 的碳化硅MOSFET,可主要應(yīng)用在車載充電機(jī)及汽車空調(diào)壓縮機(jī)驅(qū)動(dòng)中。
B3M040120Z是BASiC™國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應(yīng)商-基本公司™基于第三代碳化硅MOSFET技術(shù)平臺(tái)開發(fā)的最新產(chǎn)品,該系列產(chǎn)品進(jìn)一步優(yōu)化鈍化層,提升可靠性,相對于上一代產(chǎn)品在比導(dǎo)通電阻、開關(guān)損耗以及可靠性方面有更進(jìn)一步提升。
BMF240R12E2G3是BASiC™國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應(yīng)商-基本公司™基于PcoreTM2 E2B封裝的1200V 5.5mΩ工業(yè)級全碳化硅半橋功率模塊,產(chǎn)品采用集成的NTC溫度傳感器、Press-Fit壓接技術(shù)以及高封裝可靠性的氮化硅AMB陶瓷基板,在導(dǎo)通電阻、開關(guān)損耗、抗誤導(dǎo)通、抗雙極性退化等方面表現(xiàn)出色。
B2M040120T和B2M080120T是BASiC™國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應(yīng)商-基本公司™基于第二代碳化硅MOSFET技術(shù)開發(fā)的頂部散熱內(nèi)絕緣的塑封半橋模塊,主要應(yīng)用于OBC、空調(diào)壓縮機(jī)和工業(yè)電源中。
BASiC™國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應(yīng)商-基本公司™推出可支持米勒鉗位的雙通道隔離驅(qū)動(dòng)芯片BTD25350系列,此驅(qū)動(dòng)芯片專為碳化硅MOSFET門極驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì),可高效可靠抑制碳化硅MOSFET的誤開通,還可用于驅(qū)動(dòng)MOSFET、IGBT等功率器件。
為了保持電力電子系統(tǒng)競爭優(yōu)勢,同時(shí)也為了使最終用戶獲得經(jīng)濟(jì)效益,一定程度的效率和緊湊性成為每一種電力電子應(yīng)用功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用的優(yōu)勢所在。隨著IGBT技術(shù)到達(dá)發(fā)展瓶頸,加上SiC MOSFET絕對成本持續(xù)下降,使用SiC MOSFET替代升級IGBT已經(jīng)成為各類型電力電子應(yīng)用的主流趨勢。
武漢芯火元科技專業(yè)分銷基本™(BASiC Semiconductor)碳化硅SiC功率MOSFET,BASiC基本™碳化硅MOSFET模塊,BASiC基本™單管SiC碳化硅MOSFET,BASiC基本™SiC碳化硅MOSFET模塊,BASiC基本™SiC碳化硅MOSFET模塊,BASiC基本™I型三電平IGBT模塊,BASiC基本™T型SiC碳化硅MOSFET模塊,BASiC基本™混合SiC-IGBT單管,BASiC基本™混合SiC-IGBT模塊,碳化硅(SiC)MOSFET專用雙通道隔離驅(qū)動(dòng)芯片BTD25350,單通道隔離驅(qū)動(dòng)芯片BTD5350,雙通道隔離驅(qū)動(dòng)芯片BTD21520,單通道隔離驅(qū)動(dòng)芯片(帶VCE保護(hù))BTD3011R,BASiC基本™混合SiC-IGBT三電平模塊應(yīng)用于光伏逆變器,雙向AC-DC電源,戶用光伏逆變器,戶用光儲(chǔ)一體機(jī),儲(chǔ)能變流器,儲(chǔ)能PCS,雙向LLC電源模塊,儲(chǔ)能PCS-Buck-Boost電路,光儲(chǔ)一體機(jī),PCS雙向變流器,三相維也納PFC電路,三電平LLC直流變換器,移相全橋拓?fù)涞刃履茉搭I(lǐng)域。在光伏逆變器、光儲(chǔ)一體機(jī)、儲(chǔ)能變流器PCS、OBC車載充電器,熱管理電動(dòng)壓縮機(jī)驅(qū)動(dòng)器,射頻電源,PET電力電子變壓器,氫燃料空壓機(jī)驅(qū)動(dòng),商用空調(diào)PFC,大功率工業(yè)電源,工商業(yè)儲(chǔ)能變流器,變頻器,輔助電源,高頻逆變焊機(jī),高頻伺服驅(qū)動(dòng),AI服務(wù)器電源,算力電源,數(shù)據(jù)中心電源,機(jī)房UPS等領(lǐng)域與客戶戰(zhàn)略合作,武漢芯火元科技全力支持中國電力電子工業(yè)發(fā)展!
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公司名稱: | 武漢市芯火元科技有限公司 | 公司類型: | 企業(yè)單位 () |
所 在 地: | 湖北/武漢市 | 公司規(guī)模: | |
注冊資本: | 未填寫 | 注冊年份: | 2023 |
資料認(rèn)證: | ||
保 證 金: | 已繳納 0.00 元 | |
經(jīng)營范圍: | 基本半導(dǎo)體SiC碳化硅MOSFET|船用電驅(qū)系統(tǒng)SiC碳化硅功率模塊|基本半導(dǎo)體SiC模塊驅(qū)動(dòng)板|基本半導(dǎo)體汽車級碳化硅SiC模塊|基本半導(dǎo)體34mm碳化硅SiC模塊|基本半導(dǎo)體62mm碳化硅SiC模塊|基本半導(dǎo)體Easy1B碳化硅SiC模塊|基本半導(dǎo)體Easy2B碳化硅SiC模塊|基本半導(dǎo)體Easy3B碳化硅SiC模塊|基本半導(dǎo)體ED3碳化硅SiC模塊|基本半導(dǎo)體PIM碳化硅SiC模塊|基本半導(dǎo)體一級代理|基本半導(dǎo)體SiC模塊|基本半導(dǎo)體SiC單管|基本半導(dǎo)體驅(qū)動(dòng)IC|基本半導(dǎo)體SiC MOSFET|B | |
銷售的產(chǎn)品: | 基本半導(dǎo)體SiC碳化硅MOSFET|船用電驅(qū)系統(tǒng)SiC碳化硅功率模塊|基本半導(dǎo)體SiC模塊驅(qū)動(dòng)板|基本半導(dǎo)體汽車級碳化硅SiC模塊|基本半導(dǎo)體34mm碳化硅SiC模塊|基本半導(dǎo)體62mm碳化硅SiC模塊|基本半導(dǎo)體Easy1B碳化硅SiC模塊|基本半導(dǎo)體Easy2B碳化硅SiC模塊|基本半導(dǎo)體Easy3B碳化硅SiC模塊|基本半導(dǎo)體ED3碳化硅SiC模塊|基本半導(dǎo)體PIM碳化硅SiC模塊|基本半導(dǎo)體一級代理|基本半導(dǎo)體SiC模塊|基本半導(dǎo)體SiC單管|基本半導(dǎo)體驅(qū)動(dòng)IC|基本半導(dǎo)體SiC MOSFET|B | |
采購的產(chǎn)品: | 基本半導(dǎo)體SiC碳化硅MOSFET|船用電驅(qū)系統(tǒng)SiC碳化硅功率模塊|基本半導(dǎo)體SiC模塊驅(qū)動(dòng)板|基本半導(dǎo)體汽車級碳化硅SiC模塊|基本半導(dǎo)體34mm碳化硅SiC模塊|基本半導(dǎo)體62mm碳化硅SiC模塊|基本半導(dǎo)體Easy1B碳化硅SiC模塊|基本半導(dǎo)體Easy2B碳化硅SiC模塊|基本半導(dǎo)體Easy3B碳化硅SiC模塊|基本半導(dǎo)體ED3碳化硅SiC模塊|基本半導(dǎo)體PIM碳化硅SiC模塊|基本半導(dǎo)體一級代理|基本半導(dǎo)體SiC模塊|基本半導(dǎo)體SiC單管|基本半導(dǎo)體驅(qū)動(dòng)IC|基本半導(dǎo)體SiC MOSFET|B | |
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